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<überarbeitet20.12.08
Kollektor-Emitter-Spannung (bei offener Basis)
UCE0
Basisstrom
IB
Kollektor-Basis-Spannung (bei offenem Emitter)
UCB0
Gesamtverlustleistung (JU = 25°C)
Ptot
Emitter-Basis-Spannung (bei offenem Kollektor)
UEB0
Sperrschichttemperatur
Jj
Kollektorstrom
IC
Umgebungstemperatur
JU
Kollektor-Spitzenstrom
ICM
Übergangsfrequenz h21e
fT
Kollektor-Emitter-Spannung mit Widerstand zw. B-E
UCER
Alle Angaben ohne Gewähr!!
Si-npn-Planar-Transistoren für NF-Vor- und Treiberstufen
Grenzwerte*
Rauschfaktor (typ)
20V
15V
5V
100mA
16dB
10mA
200mW
125°C
-40... 100°C
5,6dB
Si-npn-Transistoren als NF-Vor- und Treiberstufen
Grenzwerte*Kennlinien
30V
20dB
45V
50V
5,5dB
3,5dB
Si-npn-Niederfrequenztransistoren für den universellen Einsatz
10 dB
150mW
150°C
-55... 125°C
1,5 dB
Rauschfaktor (max)
6V
8dB
50mA
250mW
-40... 150°C
25V
4dB
Si-pnp-Transistoren als mittelschneller Schalter und Breitbandverstärkung
500mA
1A
250mA
600mW
200°C
-40... 125°C
60V
80V
Si-npn-Transistoren als mittelschneller Schalter und Breitbandverstärkung
33V
7V
175°C
66V
100V
120V
Si-npn-Transistoren für Breitband-, NF- und HF-Verstärker
12V
300mW
40V
Si-npn-Transistoren für HF-Verstärker
200mA
20mA
Si-npn-Transistoren für den Einsatz in Video-Endstufen
UCER (1kW)
160V
680mW
Si-npn-Transistoren für analoge Anwendungen inHF-Verstärker und HF-Oszillatoren bis 100MHz
Si-npn-Transistoren für HF-Verstärker, LMK-, Vor- und ZF-Stufen
4V
25mA
25µA
Si-npn-Transistor für UKW-Vorstufen
35µA
Si-npn-Transistor für Video-ZF-Verstärkerstufen
1,7mA
160mW
185µA
Si- npn- Hochfrequenztransistoren für HF - Verstärker in Emitterschaltung
Grenzwerte*Kennlinien)
SFE 235)2
SFE 245)3
Si-npn-Transistoren mittlerer Leistung für allgemeine NF-Anwendungen
1,5A
2A
12,5W
Si-pnp-Transistoren mittlerer Leistung für allgemeine NF-Anwendungen
Si-npn-Leistungstransistoren für allgemeine NF-Anwendungen; Komplementärtypen zu SD 346, SD 348, SD 350 (Daten wie hier in pnp)
3A
6A
20W
Schneller Si-npn- Transistoren für digitale Anwendungen
-40... +125°C
Si-npn-Transistoren zur Ansteuerung von Ziffernanzeigeröhren
UCEV
70V
30mA
100°C
-40... +85°C
Si-npn-Transistoren für digitale Anwendungen
Grenzwerte*Kennlinien )
-40... +100°C
Si-npn-Transistoren für den Einsatz als Schalttransistor in digitale Anwendungen
600mA
700mA
700mW
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